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簡(jiǎn)要描述:紅外光譜橢圓儀(IRSE)可以表征材料的結(jié)構(gòu)(厚度,界面,表面粗糙度,污染),光學(xué)(光學(xué)常數(shù)),電(導(dǎo)電性)以及化學(xué)信息。
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紅外光譜橢偏儀IRSE
型號(hào):TFProbe IRSE
橢圓偏振光譜(SE)是一種成熟的光學(xué)技術(shù),用于表征塊狀材料,薄膜,涂層,表面層和嵌入式層。實(shí)現(xiàn)這種技術(shù)的波長(zhǎng)范圍取決于應(yīng)用。紅外(IR)波長(zhǎng)范圍備受關(guān)注,因?yàn)椴牧媳憩F(xiàn)出的結(jié)果與在紫外線(UV)和可見(jiàn)光波長(zhǎng)范圍內(nèi)觀察到的結(jié)果有很大不同。例如,大多數(shù)非摻雜半導(dǎo)體都是透明的;電介質(zhì)特征吸收鍵;金屬或摻雜的半導(dǎo)體表現(xiàn)出Drude吸收尾等。因此,紅外光譜橢圓儀(IRSE)可以表征材料的結(jié)構(gòu)(厚度,界面,表面粗糙度,污染),光學(xué)(光學(xué)常數(shù)),電(導(dǎo)電性)以及化學(xué)信息。
應(yīng)用案例:
1)零裝材料:玻璃,PET,摻雜硅
2)硅外延層:
•摻雜輪廓
•薄外延層(<1 um)
•低對(duì)比度N / N外延層
3)半導(dǎo)體外延層(GaAs,Insb,SiC,SiGe,CdHgTe等)
4)介電膜表征
5)應(yīng)用于FPD的硅層
6)監(jiān)測(cè)a-Si:H工藝質(zhì)量(CVD,ELA工藝)
7)SiN層中Si-H和N:H的相對(duì)含量
8)ITO膜:光學(xué)和電學(xué)表征
9)BPSG,PSG:硼和磷的濃度
10)低k材料:
•有機(jī)低k材料:
確定厚度和光學(xué)常數(shù);
計(jì)算碳含量(%C);
確定退火前后的水含量;
•SiOC:H:碳含量和孔隙率
•多孔SiO 2:厚度,孔隙率,水含量
11)溝槽,過(guò)孔,凹槽和淺溝槽隔離(STI)
12)SOI光波導(dǎo):厚度測(cè)量
特征:
?
系統(tǒng)配置:
•光源:使用壽命長(zhǎng)的Polaris™紅外光源
•光譜儀:
邁克爾遜干涉儀雙端口輸出
Ge on KBr分光鏡
高精度HeNe參考激光器
可變光圈光圈
BaF2涂層KBr窗口
•可變?nèi)肷浣牵?/span>5度間隔20 – 90度
•角度更改模式:手動(dòng),帶預(yù)設(shè)插槽
•偏光光學(xué)元件:電動(dòng)?xùn)鸥窦t外偏光片
•檢測(cè)器:帶有KBr窗口的TE冷卻DLaTGS檢測(cè)器
•載物臺(tái):高精度Z載物臺(tái),可傾斜
•樣品盤(pán):直徑200mm,水平放置
•通訊:USB 2.0
•電腦:Intel i5處理器,8GB內(nèi)存和500GB帶有鍵盤(pán)和鼠標(biāo)的硬盤(pán)
•顯示器:22英寸液晶顯示器
•軟件:TFProbe 3.3
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