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簡要描述:MYCRO*美國恩科優(yōu)N&Q系列光刻機(Mask Aligner),是*的光刻系統(tǒng),在光刻領域有超過35年的經(jīng)驗,售出1000多套設備,為半導體制造和科研領域提供品質優(yōu)良穩(wěn)定的全波段紫外光刻機系統(tǒng),廣泛的應用于半導體光刻工藝制程、微機電MEMS、二極管芯片、發(fā)光二極體(LED)芯片制造、生物器件、納米科技、顯示面板LCD、光電器件、奈米壓印以及電子封裝等諸多領域。
產(chǎn)品分類
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品牌:恩科優(yōu)(N&Q)
產(chǎn)地:美國
恩科優(yōu)光刻機分為半自動和全自動兩大系列。其中,N&Q4000系列光刻機是以半自動系統(tǒng)為主。該系統(tǒng)*的操作性,超高的分辨率,均勻的光學系統(tǒng),現(xiàn)代*接近式和接觸式光刻及超高的性價比,使恩科優(yōu)光刻系統(tǒng)已經(jīng)被全國各地眾多著名企業(yè)、研發(fā)中心、研究所和高校采用,并成為他們光刻系統(tǒng)的*;
二、技術參數(shù):
1、芯片尺寸:5mm~150mm的圓片/方片和不規(guī)則碎片(支持對不規(guī)則碎片的特殊卡盤設計);
2、曝光波長:350nm-450nm(其它波長可選配);
3、汞燈功率:350W/500W(其它功率可選配);
4、分辨率:優(yōu)于0.5um;
5、曝光模式:支持接近式曝光,各種接觸式(真空接觸、軟接觸、硬接觸等)曝光;
6、出射光強范圍:10mW/cm2~55mW/cm2@405nm;
7、支持恒定光強或恒定功率模式;
8、曝光時間:0.1~999.9s;
9、對準精度:雙高清彩色CCD + 雙高清彩色監(jiān)視器,對準精度可達到0.4微米內;
10、掩膜尺寸:2 x 2英寸到 9 x 9英寸(2 x 2英寸需要掩膜轉換器);
11、光強均勻性Uniformity:
<±1% over 2” 區(qū)域;
<±2% over 4” 區(qū)域;
<±3% over 6” 區(qū)域;
12、雙面光刻:具備背面紅外對準(IR BSA)和光學背面對準(OBS BSA),雙面對準精度≤2μm;
13、電源:高靈敏度光強可控電源。
可選型號:
NXQ400-6
NXQ400-8
NXQ800-6
NXQ8006 Sapphire
NXQ800-8
三、產(chǎn)品特點:
可選支持單面對準和雙面對準設計;
高清晰彩色雙CCD鏡頭采用的分裂視場顯微鏡鏡頭(基于無限遠修正的CCD鏡頭設計);雙頭高清全彩物鏡(單視場或分裂視場可供用戶靈活選擇);
高清彩色雙顯示屏;
全新氣動軸承導軌設計,高精準,低磨損,無需售后維護的;
具有自動執(zhí)行楔形誤差補償,并在找平后自動定位功能;
操作簡易,具有支持多操作員同臺使用的友好操作界面;
操控手柄調控模式的*設計;
采用LED穿透物鏡照明技術,具有*對準亮度;
采用基于無限遠修正的顯微鏡鏡頭架構;
抗衍射反射的高效光學光路設計;
帶安全保護功能的溫度和氣流傳感器;
全景準直透鏡光線偏差半角: <1.84度;
設備穩(wěn)定性,耐用性超高;
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